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Si1067X
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
10
0.2 8
I D = 1.06 A
0.21
1
T A = 125 °C
0.1
0.01
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.14
0.07
0.00
T A = 25 °C
0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
0. 8
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
- 21
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.7
0.6
I D = 250 μA
- 22
- 23
I D = 250 μ A
0.5
- 24
0.4
0.3
0.2
- 25
- 26
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
10
Limited b y R DS(on) *
1
0.1
1 ms
10 ms
100 ms
1s
10 s
Temperat u re (°C)
BVDSS vs. Temperature
0.01
0.001
T A = 25 °C
Single P u lse
BVDSS Limited
DC
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 74322
S10-2542-Rev. D, 08-Nov-10
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